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7. 块模式下的外部闪存

动机​

使用非存储器映射闪存（如NAND Flash）时，必须开发相关驱动程序，以便TouchGFX使用其中存储内容。

关于使用非存储器映射闪存来储存镜像部分，阅读有关该主题的更多信息。

Note
如果你的开发板不带不可寻址外部闪存，请跳过此步骤。

目标​

此步的目标是创建一个驱动程序，基于它可从非映射闪存中的某个位置读取多个字节，并将其存储在数组中。

验证​

本节的验证点包括：

验证点基本原理
确保闪存内容确保从闪存读取的内容正确。
验证性能确保读取性能符合MCU配置。

先决条件​

  • 有关闪存的信息，通常来自数据手册。
  • 有关MCU和外部闪存之间的连接的信息。
  • 闪存速度。

执行​

通常，NAND Flash通过MCU上的FMC进行配置。

请记住配置与闪存连接的GPIO。

在STM32CubeMX中配置非存储映射QSPI闪存的方法，与配置QSPI存储器映射闪存方法一样。

代码​

编写代码从闪存的特定地址读取多个字节的代码。 下面提供了一个示例。 根据闪存芯片组织驱动程序。

void readNonaddressableFlash(uint32_t from, uint8_t *into, uint32_t n)
{
  ...
}

uint8_t bytes[1000];

//read external Flash
readNonaddressableFlash(0xab001212, bytes, 1000);

此代码将用于开发TouchGFX抽象层。