7. 區塊模式下的外部快閃記憶體
動機
使用非記憶體映射快閃記憶體(如NAND Flash)時,必須開發相關驅動程式,以便TouchGFX使用其中儲存內容。
閱讀更多有關 使用非記憶體映射快閃記憶體儲存影像的主題。
Note
如果你的開發板不帶不可尋址外部快閃記憶體,請跳過此步驟。
目標
此步的目標是建立一個驅動程式,可從非映射快閃記憶體中的某個位置讀取字節數,並將其存儲在陣列中。
驗證
此節的驗證點包括:
驗證點 | 基本原理 |
---|---|
確保快閃記憶體內容 | 確保從快閃記憶體讀取的內容正確。 |
驗證性能 | 確保讀取性能符合MCU的配置。 |
先決條件
- 有關快閃記憶體的資訊,通常來自資料手冊。
- 有關MCU和外部快閃記憶體之間的連接資訊。
- 快閃記憶體速度。
執行
通常,NAND Flash透過MCU上的FMC進行設定。
請記得設定與快閃記憶體連接的GPIO。
跟配置QSPI記憶體映射快閃記憶體一樣,非儲存映射QSPI快閃記憶體於STM32CubeMX中配置。
程式碼
編寫一個可以從快閃記憶體的特定位址讀取字節數的程式碼。 下面提供了一個範例。 執行的驅動程式由快閃記憶體晶片決定。
void readNonaddressableFlash(uint32_t from, uint8_t *into, uint32_t n)
{
...
}
uint8_t bytes[1000];
//read external Flash
readNonaddressableFlash(0xab001212, bytes, 1000);
此程式碼將用於開發TouchGFX抽象層。