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7. 區塊模式下的外部快閃記憶體

動機​

使用非記憶體映射快閃記憶體（如NAND Flash）時，必須開發相關驅動程式，以便TouchGFX使用其中儲存內容。

閱讀更多有關 使用非記憶體映射快閃記憶體儲存影像的主題。

Note
如果你的開發板不帶不可尋址外部快閃記憶體，請跳過此步驟。

目標​

此步的目標是建立一個驅動程式，可從非映射快閃記憶體中的某個位置讀取字節數，並將其存儲在陣列中。

驗證​

此節的驗證點包括：

驗證點基本原理
確保快閃記憶體內容確保從快閃記憶體讀取的內容正確。
驗證性能確保讀取性能符合MCU的配置。

先決條件​

  • 有關快閃記憶體的資訊，通常來自資料手冊。
  • 有關MCU和外部快閃記憶體之間的連接資訊。
  • 快閃記憶體速度。

執行​

通常，NAND Flash透過MCU上的FMC進行設定。

請記得設定與快閃記憶體連接的GPIO。

跟配置QSPI記憶體映射快閃記憶體一樣，非儲存映射QSPI快閃記憶體於STM32CubeMX中配置。

程式碼​

編寫一個可以從快閃記憶體的特定位址讀取字節數的程式碼。 下面提供了一個範例。 執行的驅動程式由快閃記憶體晶片決定。

void readNonaddressableFlash(uint32_t from, uint8_t *into, uint32_t n)
{
  ...
}

uint8_t bytes[1000];

//read external Flash
readNonaddressableFlash(0xab001212, bytes, 1000);

此程式碼將用於開發TouchGFX抽象層。